應(yīng)用領(lǐng)域：
RTP-1100快速升降溫爐（Rapid Thermal Processing Furnace）是一種基于紅外加熱的快速熱處理設(shè)備，廣泛應(yīng)用于需要快速升降溫和溫控的工藝場(chǎng)景，主要包括以下領(lǐng)域：

半導(dǎo)體制造：
- 離子注入后退火（RTA）：修復(fù)晶格損傷，激活摻雜（如Si、SiC、GaN）。
- 金屬硅化物形成：CoSi₂、NiSi等低電阻接觸制備。
- 氧化/氮化：超薄SiO₂柵氧層的快速熱氧化（RTO）。
先進(jìn)封裝：
- 晶圓級(jí)鍵合：Cu-Cu熱壓鍵合的快速加熱。
- TSV退火：硅通孔電鍍后的應(yīng)力釋放。
新型材料研發(fā)：
- 二維材料：石墨烯、MoS₂的快速退火與摻雜。
- 鈣鈦礦器件：光伏薄膜的快速結(jié)晶處理。
光伏與顯示：
- TOPCon電池：多晶硅層的快速摻雜活化。
- OLED封裝：低溫氧化物薄膜的快速固化。
科研實(shí)驗(yàn)：
- 高溫反應(yīng)動(dòng)力學(xué)研究、納米材料相變分析等。

技術(shù)特點(diǎn)：
1. 超快速溫變速率
- 升溫速率：可達(dá)100℃/秒（從室溫至1100℃僅需10~30秒）。
- 降溫速率：通過強(qiáng)制氣冷或水冷，實(shí)現(xiàn)快速降溫（如200℃/秒）。
2. 精準(zhǔn)溫控系統(tǒng)
- 紅外燈管加熱：波長匹配材料吸收特性，減少熱慣性。
- 多區(qū)獨(dú)立控溫：溫控精度±1℃（@1100℃），均勻性±3℃（4英寸晶圓）。
- 實(shí)時(shí)測(cè)溫：紅外測(cè)溫儀或熱電偶閉環(huán)反饋。
3. 氣氛靈活性
- 支持多種環(huán)境：N₂、Ar、H₂、O₂等，真空度可達(dá)10⁻³ mbar。
- 可選配氣體預(yù)混系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)氧化/還原工藝切換。
4. 安全與自動(dòng)化
- 安全聯(lián)鎖：過溫保護(hù)、氣體流量異常報(bào)警、緊急冷卻。
- 工藝配方存儲(chǔ)：支持多段溫度曲線編程（如階梯升溫/脈沖退火）。
5. 模塊化設(shè)計(jì)
- 石英腔體（耐高溫、低污染）或金屬腔體（高真空兼容）。
- 可選單片處理或多片批量處理（Cassette加載）。