近日，粉末冶金研究院青年教師唐思危關于Cr1/3NbS2二維材料中磁孤子（soliton）自旋螺旋數的量化調控的*新研究成果在納米材料類國際知名期刊Nano Letters (IF=12.712)在線發(fā)表關于的*新研究成果。

    論文題為“Tuning magnetic soliton phase via dimensional confinement in exfoliated 2D Cr1/3NbS2 thin flakes”（DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b01546）。中南大學為*通訊單位，唐思危博士為論文*作者。

    本論文發(fā)現二維Cr1/3NbS2納米薄片厚度為200nm的時候，磁化曲線的一階微分顯示出階梯式的磁孤子晶格內部轉變行為。隨著薄片厚度接近手性螺旋周期長（46nm），新的孤子峰出現。

    論文從理論上解釋了孤子峰的出現和湮滅是由于在尺寸限制下，孤子晶格內的自旋螺旋發(fā)生了合并與分裂。

    在這種材料中，孤子中的自旋螺旋直徑在1納米以下，所以自旋螺旋平面排布可以使得器件的存儲密度遠遠高于當前的極限值，自旋螺旋結構的穩(wěn)定性和厚度可調性使Cr1/3NbS2自旋電子材料具有超越物理極限的潛力。

    該文章為磁存儲芯片設計提供了一種新的高效、穩(wěn)定的潛力材料，為我國自主研發(fā)新型芯片提供了一種創(chuàng)新的方式。

    這一發(fā)現，將有望使我國超前布局新型芯片材料和裝備，實現對現有芯片技術的顛覆與超越。

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