LPCVD化學相沉積設備

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發(fā)布時間：2014-3-10 8:53:52

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產(chǎn)品詳情：

用途：用于半導體器件工藝中氮化硅、二氧化硅、多晶硅的薄膜制備
特點：一次設定自動完成，可另配氣柜。真空系統(tǒng)可選配進口機組
主要技術指標：制備3-4吋氮化硅、多晶硅和二氧化硅薄膜；溫度：400~900℃；
恒溫區(qū)600mm±0.5℃；真空系統(tǒng)機械泵+羅茨泵，配有抽氣冷井；
控溫器采用進口5吋觸摸屏；通入氣體SIH4/NH3/N2;
進口質(zhì)量流量計控制；閥門用進口氣動閥和減壓閥；動作順序為PLC編程控制；
薄膜壓力控制器加閥閉環(huán)控制壓強

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