近日，安泰科技獲得科技部“十四五”國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“高端功能與智能材料”支持，成功申請(qǐng)2022年度科技部重點(diǎn)專項(xiàng)——面向第三代半導(dǎo)體應(yīng)用的高頻軟磁材料（共性關(guān)鍵技術(shù)）項(xiàng)目，標(biāo)志著安泰科技超薄納米晶材料正式進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體行業(yè)。

以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體的發(fā)展已列入“十四五”規(guī)劃成為國(guó)家戰(zhàn)略，第三代半導(dǎo)體具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性，可以實(shí)現(xiàn)更好的電子濃度和運(yùn)動(dòng)控制，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值，目前市場(chǎng)火熱的5G基站、新能源汽車和快充等更是它的重要應(yīng)用領(lǐng)域。

第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用加速了電力電子裝備朝著高頻化、小型化、高效化方向發(fā)展，對(duì)與之配套的軟磁材料高頻性能提出了更高要求，高頻阻抗特性、高頻低損耗特性、超薄帶材（＜14μm），傳統(tǒng)的納米晶帶材及其元器件的性能指標(biāo)還難于滿足上述要求，從而嚴(yán)重影響第三代半導(dǎo)體器件的發(fā)展與應(yīng)用，為此，亟需開發(fā)出新一代高頻低損耗納米晶帶材及其元器件。安泰科技深耕非晶納米晶行業(yè)四十余年，前期已經(jīng)承擔(dān)完成了特種軟磁合金領(lǐng)域多項(xiàng)國(guó)家重點(diǎn)專項(xiàng)，形成了深厚的技術(shù)積淀與豐富的科研成果。作為國(guó)內(nèi)*早從事納米晶軟磁材料開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)，開發(fā)出一系列納米晶產(chǎn)品（Antainano），“納米晶軟磁合金及制品應(yīng)用開發(fā)”榮獲2008年國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)，是全球產(chǎn)業(yè)化規(guī)模*大的國(guó)際三大非晶、納米晶材料制造企業(yè)之一。面對(duì)超薄納米晶帶材市場(chǎng)的巨大需求與挑戰(zhàn)，在具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的萬(wàn)噸級(jí)非晶帶材連續(xù)化生產(chǎn)技術(shù)基礎(chǔ)上，開發(fā)出寬幅超薄納米晶帶材連續(xù)化生產(chǎn)技術(shù)，解決了納米晶帶材寬度和厚度受限的難題，提高了單爐產(chǎn)量和帶材厚度一致性，帶寬可達(dá)120mm以上、帶厚可達(dá)14μm，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)*，為發(fā)展大功率高頻變壓器、促進(jìn)靈活交流輸電和電網(wǎng)智能化奠定了基礎(chǔ)，榮獲2021年冶金科學(xué)技術(shù)特等獎(jiǎng)。

重任在肩、當(dāng)仁不讓。安泰科技將以實(shí)施國(guó)家重點(diǎn)專項(xiàng)為契機(jī)，更加奮發(fā)有為、不斷創(chuàng)新突破，進(jìn)一步發(fā)揮和鞏固在非晶納米晶領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)，加快突破第三代半導(dǎo)體器件用高頻軟磁材料的技術(shù)瓶頸，加速推進(jìn)高頻高性能納米晶軟磁材料在SiC/GaN第三代半導(dǎo)體電源模塊中的關(guān)鍵技術(shù)集成，以及在信息通訊、新能源汽車、5G終端等領(lǐng)域的示范應(yīng)用，提升安泰科技在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的配套能力。

相關(guān)新聞